: Просмотров: 18652

Перспективные технические характеристики комплексов информационной и измерительной аппаратуры, содержащих узлы точной механики и оптики в значительной степени обеспечиваются за счет совершенствования эксплуатационных возможностей входящего в него специализированного мехатронного и радиоэлектронного оборудования.

Цель создания участка функциональной электроники – разработка технологий и производство новых изделий на базе микроэлектромеханических систем (МЭМС), внедрение наукоемких технологий в производство радиоэлектронной элементной базы (РЭБ), обновление РЭБ, а также повышение конкурентоспособности и качества выпускаемой продукции предприятий радиоэлектронного, электротехнического и энергетического кластеров экономики.

Задачи, решаемые в рамках создания участка функциональной электроники:

создание нового оборудования и отработка технологий производства тензо- и пьезо- измерительных элементов МЭМС с заданными свойствами, кодовых и растровых масок фотоэлектронных сенсорных устройств датчиков и гибридных микросхем, а также фильтров СВЧ-диапазона и другой дискретной элементной базы для радиоэлектронной промышленности
создание системы операционного контроля качества изделий, интегрированного в технологическое оборудование нового поколения
создание системы непрерывной компьютерной диагностики и мониторинга технологических модулей, обеспечивающей качественно новый уровень прогнозируемого сервисного обеспечения производства
разработка системы качества продукции с субмикронными проектными нормами с созданием соответствующей службы
сопровождение проектирования и изготовления функционально необходимых технологических модулей и оснастки в рамках взаимодействия на кооперационной основе с предприятиями, организациями и ВУЗами
изготовление и поставка установочных партий изделий и мелкосерийной продукции

Совершенствование НИОКРовской работы МИКТ связано с созданием опытно-экспериментального производства, позволяющего выпускать конкурентную продукцию, при этом одним из перспективных путей развития высокоточной технологии топологических структур элементов МЭМС и датчиковой аппаратуры на их основе, а также фильтров и других дискретных приборов РЭБ, является применение роботизированного литографического оборудования, пригодного для организации серийного производства и его автоматизации.

Совместное применение технологии плазмо-химической обработки, взрывной литографии и роботизированного литографического оборудования позволяет:

минимизировать конструктивные параметры мехатронных исполнительных механизмов и увеличить их удельные энергетические и ресурсные показатели
организовать серийное производство топологических структур, исключающее влияние человеческого фактора на точность их изготовления
снизить себестоимость и обеспечить заявленный частотный диапазон топологических структур приборов СВЧ-диапазона.

На технологическом участке производства МЭМС и РЭБ внедрена базовая технология литографии для формирования металлизированного рисунка на монокристаллических пьезоподложках, в ходе выполнения которой решены следующие задачи:

разработано, поставлено и запущено базовое технологическое оборудование
разработана конструкторская и технологическая документация на выпускаемую продукцию
изготовлены опытные образцы элементов МЭМС и датчиковой аппаратуры на их основе, фильтров, линий задержек
проведены предварительные и приёмочные испытания опытных образцов выпускаемых изделий

Существующая тенденция минимизации конструктивных параметров МЭМС с одновременным увеличением их энергоэффективности и ресурса работы свидетельствует о повышении роли прецизионных мехатронных устройств в развитии современного оборудования. Это позволяет утверждать, что потребность в мехатронных модулях на основе МЭМС будет увеличиваться быстрыми темпами.

Успешное решение поставленных задач позволяет обеспечить отечественные предприятия высоко энерго- и ресурсо- используемыми МЭМС, датчиковой аппаратурой и другими мехатронными модулями. Также полученные результаты позволят выпускать, например, ПАВ-фильтры на пьезокварце для применения в диапазоне частот до 1,2 ГГц, что соответствует технологическим размерам топологии элементной базы 900 нм, а также другую дискретную функциональную РЭБ с субмикронными (≥0,7 мкм) технологическими нормами, обеспечив потребности широкого круга предприятий связи в РФ.

В 2012 г. в инженерно-техническом центре МИКТ, расположенном по адресу: 394026 г. Воронеж, Проезд ясный, д. 4, запущен технологический участок производства МЭМС и РЭБ, расположенный в специально построенном модуле «чистая комната» площадью 60 кв.м.