Назначение установки

Формирование в фоторезистивной (полимерной) пленке топологического рисунка (маски) на поверхностях полупроводниковых, кварцевых, стеклянных и керамических подложек.

Характеристики обрабатываемых объектов

Форма обрабатываемых объектов
круг, квадрат
Материал объектов
кварц, стекло, керамика, полупроводниковые материалы
Максимальный наружный диаметр, мм
150
Максимальная сторона квадрата, мм
60
Минимальный наружный диаметр, мм
20
Минимальная сторона квадрата, мм
20
Максимальная толщина, мм
2
Минимальная толщина, мм
0,5

Установка проявления фоторезиста с термообработкой УПФ-150ТМ

Установка комплектуется набором сменных держателей для обработки подложек согласованного с Заказчиком  размера.

Состав установки (базовая комплектация):

  • модуль проявления
  • модуль термообработки
  • модуль термостабилизации подложек
  • система термостабилизации (терморегулирования) проявителя
  • емкость для проявителя
  • система управления установкой
  • пылезащитный бокс
  • фильтро-вентиляционный блок (ФВБ)

При  отсутствии магистрали сжатого воздуха у Заказчика - воздушный компрессор с давлением  0,4-0,6 МПа.

Особенности установки:

  • ручная загрузка пластин на позиции обработки
  • подача проявителя из напорной емкости в центр пластины или в режиме      сканирования
  • стабилизация и регулирование температуры проявителя
  • термообработка пластин на «горячей плите» контактным методом
  • термообработка на «горячей плите» в контролируемых условиях при разряжении
  • термостабилизация пластин на «холодной плите» контактным методом
  • ламинарный защитный бокс  обеспыливания

 Для работы установка подключается к:

  • 3-х фазной электрической сети переменного тока напряжением 380/220 В, частотой  50 Гц; нормы качества электроэнергии по ГОСТ 13109-87
  • сети сжатого, обеспыленного воздуха с давлением 0,4 - 0,6 МПа
  • вытяжной вентиляции, с производительностью не менее 50 м3/час
  • сети технической воды с температурой не более 14-16 °С
  • сети сливной канализации
  • контуру заземления

Установка проявления фоторезиста с термообработкой УПФ-150ТМ

    Основные технические характеристики

Наименование
Значение
Диапазон задания скорости вращения, об/мин 
50-5000
Точность поддержания скорости вращения об/мин
±5
Диапазон задания ускорения, об/мин/с
100-20000
Дискретность задания скорости, об/мин
10
Дискретность задания ускорения, об/мин/с
100
Диапазон регулирования температуры проявителя, °С
18-50 ±0,1
Дискретность задания времени обработки, с
1,0
Диапазон задания времени обработки, с
1,0-999
Диапазон задания   температуры «горячей плиты»,°С
70-200
Точность поддержания температуры «горячей плиты»:
 
70-120 °С
±0,3 °С
120-150 °С
±0,5 °С
150-200 °С
±1,0 °С
Потребляемая мощность, не более, кВт
1,5

 Система управления установкой

Система управления – на базе микроконтроллера с выводом информации на текстовый дисплей.

Система управления обеспечивает:

  • диагностику работоспособности установки
  • хранение в памяти не менее 5 программ различных циклов обработки объекта
  • мониторинг и регулирование технологического процесса в реальном масштабе времени

Установка удовлетворяет требованиям для  эксплуатации в «чистых помещениях» класса Р5 (100) по ГОСТ Р 50 766-95. Конструкция узлов и деталей удобна для промывки и очистки.

МИКТ Инженерно-технический центр Установка проявления фоторезиста с термообработкой УПФ-150ТМ