Назначение

Формирование на поверхностях подложек фоторезистивных/полимерных плёнок заданной толщины.

Особенность установки

Загрузка-выгрузка  пластины на модули – ручная, дальнейшая её обработка – автоматическая.

Характеристики обрабатываемых объектов 

Форма обрабатываемых объектов
круг, квадрат
Материал объектов
кварц, стекло, керамика, полупроводниковые материалы
Максимальный наружный диаметр, мм
100
Максимальная сторона квадрата, мм
60
Минимальный наружный диаметр, мм
20
Минимальная сторона квадрата, мм
20
Максимальная толщина, мм 
2
Минимальная толщина, мм
0,5

Установка нанесения фоторезиста с термообработкой УНФ-150ТM

Установка комплектуется набором сменных держателей для обработки подложек согласованного с Заказчиком  размера.

Состав установки:

  • модуль нанесения фоторезиста
  • модуль термообработки (сушки)  после нанесения
  • модуль охлаждения/термостабилизации
  • блок электрический
  • система управления установкой
  • система автоматического дозирования фоторезиста
  • пылезащитный ламинарный бокс (пылезащитный бокс обеспечивает класс чистоты 5 ИСО по ГОСТ ИСО 14644-1-2002 в зоне обработки подложек)

Технологические возможности установки: 

  • формирование фотрезистивных пленок заданной толщины
  • автоматическое дозирование фоторезиста
  • подача  фоторезиста на подложку в статическом и динамическом режимах (сканирование)
  • термообработка подложек на «горячей плите» контактным методом
  • термообработка подложек в контролируемой среде при разряжении
  • охлаждение и термостабилизации подложек после термообработки

Установка нанесения фоторезиста с термообработкой УНФ-150ТM

Основные технические характеристики установки

Наименование
Значение
Габариты установки, мм (Ш×Г×В)
1300×760×2100
Диапазон задания скорости вращения, об/мин 
50-5000
Точность поддержания скорости вращения об/мин
±5
Диапазон задания ускорения, об/мин/с
100-20000
Дискретность задания скорости, об/мин
10
Дискретность задания ускорения, об/мин/с
100
Дискретность задания времени обработки, с
1,0
Диапазон задания времени обработки, с
1,0-999
Диапазон задания   температуры «горячей плиты»,°С
70-200
Диапазон дозирования фоторезиста, мл
0,5-5,0
Точность дозирования фоторезиста
±0,1
Точность поддержания температуры «горячей плиты»:
 
70-120° С
±0,3 °С
120-150° С
±0,5 °С
150-200° С
±1,0 °С
Потребляемая мощность, не более, кВт
1,5

Система управления установкой

Система управления – на базе микроконтроллера с выводом информации на  текстовый дисплей.

Система управления обеспечивает:

  • диагностику работоспособности установки
  • хранение в памяти не менее 5 программ различных циклов обработки объекта
  • мониторинг и  регулирование технологического процесса в реальном масштабе времени

Для работы установка подключается:

  • к сети переменного тока напряжением 220 В, частотой  50 Гц; нормы качества электроэнергии по ГОСТ 13109-87
  • сети сжатого, обеспыленного воздуха с давлением 0,4-0,6 МПа
  • сети вакуума с давлением не более 350 мм. рт. ст.
  • вытяжной вентиляции, с производительностью не менее 1500м3 /час
  • сети технической воды с температурой не более 14-16 °С
  • сети сливной канализации
  • контуру заземления

Установка удовлетворяет требованиям для  эксплуатации в «чистых помещениях» класса Р5 (100) по ГОСТ Р 50 766-95. Конструкция узлов и деталей удобна для промывки и очистки.

МИКТ Инженерно-технический центр Установка нанесения фоторезиста с термообработкой УНФ-150ТM